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英特尔发布3DNAND技术可大幅提升SS

2018-11-06 09:46:10

英特尔发布3D NAND技术 可大幅提升SSD容量

固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还都是个问题。这种宽度为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限,容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间,但更高的成本也拉高了硬盘的售价。

对于这个问题,英特尔可能已经在3D NAND当中找到了解决办法。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术,它的概念其实非常简单:不同于将存储芯片放置在单面,英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠32层的方法。这样一来,单个MLC闪存芯片上可以增加32GB的存储空间,而单个TLC闪存芯片可增加48GB。

这款硬盘目前已经进入了原型机阶段。在本月20日和投资者进行的视频会议上,英特尔高级副总裁Rob Crooke称他作展示所使用的就是采用3D NAND技术所打造的硬盘。虽说如此,这种硬盘还要等到明年中旬才会开售,且初的价格会非常昂贵。首批配备3D NAND技术的固态硬盘将具备数TB的容量,主要受众是企业用户。

不过从长期来看,这种技术可能会拉低TB容量固态硬盘的价格,并进一步降低固态硬盘的体积这对于笔记本和平板电脑厂商来说肯定是个好消息。

英特尔和镁光并非是在探索这种技术的厂商。三星的32层V-NAND技术可为每个MLC单元装备10GB的容量,且该技术已经被应用在了量产产品当中。虽然这种技术能为固态硬盘增加的容量并不如英特尔的技术那么高,但三星称他们下一代的技术将会在2015年末推出,到那时,双方肯定会迎来一场直面对抗。

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